澤達(dá)半導(dǎo)體突破100G PAM4 EML量產(chǎn)技術(shù),加速高速光通信發(fā)展

訊石光通訊網(wǎng) 2025/5/16 10:15:08

  ICC訊 作為光模塊核心器件,高速EML芯片長(zhǎng)期依賴進(jìn)口。在2025年光電子與通信會(huì)議(OECC)上,澤達(dá)半導(dǎo)體宣布成功開發(fā)適用于大規(guī)模生產(chǎn)的100G PAM4電吸收調(diào)制激光器(EML),標(biāo)志著高速光通信芯片量產(chǎn)化取得關(guān)鍵進(jìn)展。該成果由項(xiàng)目總負(fù)責(zé)人Dr. K. Huang團(tuán)隊(duì)主導(dǎo)完成,相關(guān)論文已被OECC收錄,并引發(fā)行業(yè)高度關(guān)注。

  技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)量產(chǎn)化突破

  澤達(dá)半導(dǎo)體采用單脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)和單對(duì)接再生生長(zhǎng)技術(shù),簡(jiǎn)化了傳統(tǒng)EML的復(fù)雜制造流程,同時(shí)優(yōu)化了抗反射(AR)涂層,顯著降低了殘余反射對(duì)信號(hào)的影響。此外,團(tuán)隊(duì)通過精確調(diào)控InGaAsP多量子阱(MQW)的帶隙和應(yīng)變,使芯片在光電性能和量產(chǎn)穩(wěn)定性上達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。


模擬模型和反射結(jié)果

  高性能表現(xiàn)符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)

  測(cè)試數(shù)據(jù)顯示,該芯片的3 dB帶寬達(dá)到54 GHz,在25°C至70°C的工作溫度范圍內(nèi),TDECQ(傳輸色散眼圖閉合代價(jià))均低于3.0 dB,完全符合IEEE標(biāo)準(zhǔn)要求。這意味著它能夠穩(wěn)定支持100G PAM4高速信號(hào)傳輸,適用于下一代數(shù)據(jù)中心和5G光模塊應(yīng)用。

  量產(chǎn)能力已就緒,加速市場(chǎng)應(yīng)用

  目前,澤達(dá)半導(dǎo)體已建立完整的3英寸晶圓生產(chǎn)線,從外延生長(zhǎng)、光刻刻蝕到芯片測(cè)試均實(shí)現(xiàn)自主可控。團(tuán)隊(duì)還自主開發(fā)了一套測(cè)試系統(tǒng),可高效評(píng)估芯片的直流特性、高頻響應(yīng)及PAM4眼圖質(zhì)量,為大規(guī)模量產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。

  項(xiàng)目負(fù)責(zé)人Dr. K. Huang表示:“我們的設(shè)計(jì)不僅優(yōu)化了性能,更注重低成本、高良率的量產(chǎn)可行性。隨著5G和數(shù)據(jù)中心對(duì)高速光模塊需求的增長(zhǎng),澤達(dá)的100G PAM4 EML將幫助客戶降低供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn),并推動(dòng)國(guó)產(chǎn)光芯片的普及?!?

  市場(chǎng)前景廣闊,助力國(guó)產(chǎn)替代

  隨著全球數(shù)據(jù)流量激增,100G及以上速率的光模塊需求持續(xù)增長(zhǎng)。澤達(dá)半導(dǎo)體的這一突破,不僅填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)高端EML芯片的量產(chǎn)空白,也為中國(guó)光通信產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控提供了關(guān)鍵支持。未來,該技術(shù)有望進(jìn)一步擴(kuò)展至200G/400G更高速率市場(chǎng),推動(dòng)全球光通信技術(shù)的升級(jí)發(fā)展。

新聞來源:澤達(dá)半導(dǎo)體

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