第二屆50G PON產(chǎn)業(yè)論壇成功舉辦 小型化光器件創(chuàng)新助推50G PON產(chǎn)業(yè)實踐

  ICC訊 5月15日，在2025武漢光博會第二天，ICC訊石聯(lián)合意桐光電舉辦第二屆50G PON＆FTTR產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇，聚焦50G PON和FTTR產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵技術(shù)的標準化，以及中國下一代PON產(chǎn)業(yè)試點發(fā)展情況。來自中國電信、中國聯(lián)通、中國信通院、烽火通信、欣諾通信、索爾思光電、源杰科技、四川光恒通信、西安交通大學和ICC訊石分析師專家分享了關(guān)于50G PON技術(shù)的最新產(chǎn)業(yè)化進展。

  中國信通院程強表示，50G PON是萬兆網(wǎng)絡的關(guān)鍵技術(shù)，重點住宅場景和企業(yè)場景的上下行鏈路容量增長，復用現(xiàn)有ODN基礎(chǔ)設(shè)施，推動GPON/XG(S)-PON/50G PON三代共存，以及優(yōu)化延遲和提高可靠性。中國產(chǎn)業(yè)界在50G PON PMD和TC層標準發(fā)布后，開始密集進行相關(guān)驗證和試點，對三代PON共存能力，Class B+/Class C+光鏈路預算能力，小型化光模塊等影響現(xiàn)網(wǎng)部署進行了測試驗證，推動50G PON技術(shù)產(chǎn)品成熟。

  烽火通信技術(shù)專家王志軍表示，國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)界推動了50G PON標準逐步成熟，目前已經(jīng)具備加速推進50 PON試驗部署的條件，為進一步商用鋪開道路。烽火通信推出了全新AN6000T萬兆平臺，支持50G PON和超100G PON的平滑演進。烽火通信在50G PON應用上還實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的小型化光模塊，采用高集成度BOSA器件和高隔離度Z-Block分光設(shè)計和高性能自研DSP算法。

  四川光恒通信業(yè)務發(fā)展總監(jiān)郭江濤表示， 50G PON部署需要兼容1G/10G/50G三代PON業(yè)務的OLT產(chǎn)品，需要小型化封裝來與現(xiàn)網(wǎng)主流16口線卡匹配，解決機房空間不足的難題。通過內(nèi)置MPM合分波組件和高隔離度設(shè)計，可以有效解決多代技術(shù)共存時的信號干擾問題，支持三模共存。同時，通過優(yōu)化光器件和光模塊設(shè)計實現(xiàn)的小型化SFP-DD光模塊，其內(nèi)部采用6*TO封裝組件，可以復用10G COMBO OLT設(shè)備產(chǎn)線，減少新一輪投資。50G PON已經(jīng)通過實驗室級測試并朝產(chǎn)業(yè)化穩(wěn)步推進。

  西安交通大學教授李丹表示，針對50G PON對高速電芯片TIA（跨阻放大器）需求，科研團隊展示了首個CMOS 50G PON突發(fā)模式（Burst mode）TIA創(chuàng)新，實現(xiàn)在50Gbaud波特率上7pA/?Hz 的低噪聲，模擬前端宗14.7ns的快速建立時間并兼容后級連續(xù)放大器。整體上，李丹團隊成功推出基于CMOS工藝的用于50G PON的模擬前端整體的低成本方案。

  中國電信高級專家金嘉亮表示，50G PON延續(xù)時分復用架構(gòu)，系統(tǒng)容量提升5倍，支持傳統(tǒng)IEEE和ITU-T兩大標準體系共存演進。目前GPON體系的50G PON三代共存演進方案和標準已經(jīng)確定，但是EPON體系50G PON演進還需要進一步探討。EPON體系升級主要問題是IEEE EPON標準中上行波長1260-1360nm（100nm間隔）與ITU-T 50G PON上下行波長重疊。在EPON區(qū)域，波分方案產(chǎn)業(yè)已具備非對稱能力，可在近期實施，而規(guī)模部署階段則需要綜合評估時分/波分方案，事實上多模光模塊（MPM）方案可支持時分/波分方案。

  欣諾通信研發(fā)副總吳志遠表示，針對非城區(qū)OLT部署面臨用戶分散、光纖直驅(qū)造價高、OLT運維困難以及覆蓋困難的痛點。采用PON放大器方案更適用于農(nóng)村全覆蓋、整治弱光、長距離覆蓋的場景，其優(yōu)點是可解決大部分弱光問題成本低、利用率高、即插即用、帶旁路/網(wǎng)管、維護/安裝便捷等。欣諾通信全系列PON解決方案可以滿足OLT覆蓋低中高密度所有應用接入場景，提供PON放大和延伸方案可解決長距離光功率預算不足應用場景，PON over OTN可解決光纖資源不足的場景。

  索爾思光電PON BU總經(jīng)理胡云表示，基于自研50G 1342nm EML+SOA芯片，索爾思光電全面小型化封裝SFP-DD單模、雙模和三模的50G OLT低功耗工溫和商溫方案。此外，基于自研的25G 1286nm DML和50G APD芯片可以提供SFP-DD/SFP56 50G ONU低功耗工溫方案。50G非對此OLT和ONU預計在2025年第二季度和第三季度實現(xiàn)量產(chǎn)，而50G對稱OLT和ONU需要產(chǎn)業(yè)鏈繼續(xù)系統(tǒng)解決關(guān)鍵電芯片的瓶頸以推動量產(chǎn)。

  源杰科技銷售副總白英會表示，50G PON對于激光器芯片的技術(shù)需求，主要有OLT端1342nm EML+SOA（C+）、1342nm EML+SOA（D）以及ONU端1286nm EML+SOA三種激光器型號。伴隨著50G PON持續(xù)演進，產(chǎn)業(yè)界將需要具備可靠性、可批量性、競爭性強、安全性和先進性特點的50G激光器芯片。至于集成SOA給激光器芯片帶來的成本問題，則需要從芯片在整體BOM成本占比經(jīng)過綜合考慮而判斷，源杰科技相信集成SOA的50G EML激光器將給客戶提供兼顧性能與成本的平衡選擇。

  ICC訊石高級分析師吳娜表示，50G PON在國際（ITU-T）與中國（CCSA）的推動下，已基本完成50G PON標準制定，國內(nèi)三模光模塊標準及產(chǎn)業(yè)化正在推進，其中非對稱方案成熟，對稱方案仍在發(fā)展中。同時，50G PON將支撐2025-2035年需求，并配合中國 “雙萬兆戰(zhàn)略”加速商用。預測未來三年50G PON進入規(guī)模部署，中國將繼續(xù)主導全球絕大部分PON市場。

  如今，50G PON經(jīng)過三大運營商、電信設(shè)備商、光模塊和光器件以及光電芯片廠商的協(xié)同推進，產(chǎn)業(yè)標準獲得了實質(zhì)性的發(fā)展。2025年1月，中國工信部啟動了50G PON在全國方位168個試點項目，這將推動50G PON加速從實驗室向規(guī)模商用發(fā)展。