澤達半導(dǎo)體突破100G PAM4 EML量產(chǎn)技術(shù)，加速高速光通信發(fā)展

  ICC訊 作為光模塊核心器件，高速EML芯片長期依賴進口。在2025年光電子與通信會議（OECC）上，澤達半導(dǎo)體宣布成功開發(fā)適用于大規(guī)模生產(chǎn)的100G PAM4電吸收調(diào)制激光器（EML），標(biāo)志著高速光通信芯片量產(chǎn)化取得關(guān)鍵進展。該成果由項目總負(fù)責(zé)人Dr. K. Huang團隊主導(dǎo)完成，相關(guān)論文已被OECC收錄，并引發(fā)行業(yè)高度關(guān)注。

  技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動量產(chǎn)化突破

  澤達半導(dǎo)體采用單脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)和單對接再生生長技術(shù)，簡化了傳統(tǒng)EML的復(fù)雜制造流程，同時優(yōu)化了抗反射（AR）涂層，顯著降低了殘余反射對信號的影響。此外，團隊通過精確調(diào)控InGaAsP多量子阱（MQW）的帶隙和應(yīng)變，使芯片在光電性能和量產(chǎn)穩(wěn)定性上達到行業(yè)領(lǐng)先水平。

模擬模型和反射結(jié)果

  高性能表現(xiàn)符合國際標(biāo)準(zhǔn)

  測試數(shù)據(jù)顯示，該芯片的3 dB帶寬達到54 GHz，在25°C至70°C的工作溫度范圍內(nèi)，TDECQ（傳輸色散眼圖閉合代價）均低于3.0 dB，完全符合IEEE標(biāo)準(zhǔn)要求。這意味著它能夠穩(wěn)定支持100G PAM4高速信號傳輸，適用于下一代數(shù)據(jù)中心和5G光模塊應(yīng)用。

  量產(chǎn)能力已就緒，加速市場應(yīng)用

  目前，澤達半導(dǎo)體已建立完整的3英寸晶圓生產(chǎn)線，從外延生長、光刻刻蝕到芯片測試均實現(xiàn)自主可控。團隊還自主開發(fā)了一套測試系統(tǒng)，可高效評估芯片的直流特性、高頻響應(yīng)及PAM4眼圖質(zhì)量，為大規(guī)模量產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。

  項目負(fù)責(zé)人Dr. K. Huang表示：“我們的設(shè)計不僅優(yōu)化了性能，更注重低成本、高良率的量產(chǎn)可行性。隨著5G和數(shù)據(jù)中心對高速光模塊需求的增長，澤達的100G PAM4 EML將幫助客戶降低供應(yīng)鏈風(fēng)險，并推動國產(chǎn)光芯片的普及。”

  市場前景廣闊，助力國產(chǎn)替代

  隨著全球數(shù)據(jù)流量激增，100G及以上速率的光模塊需求持續(xù)增長。澤達半導(dǎo)體的這一突破，不僅填補了國內(nèi)高端EML芯片的量產(chǎn)空白，也為中國光通信產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控提供了關(guān)鍵支持。未來，該技術(shù)有望進一步擴展至200G/400G更高速率市場，推動全球光通信技術(shù)的升級發(fā)展。